TK17E80W,S1X

TK17E80W,S1X - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer
TK17E80W,S1X
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
TK17E80W,S1X PDF-Online-Browsing
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
1000 pcs
Referenzpreis
USD 4.62/pcs
Unser Preis
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TK17E80W,S1X detaillierte Beschreibung

Artikelnummer TK17E80W,S1X
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 800V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 17A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 850µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2050pF @ 300V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 180W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 290 mOhm @ 8.5A, 10V
Betriebstemperatur 150°C
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Fall TO-220-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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