TK17N65W,S1F - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte	TK17N65W,S1F
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	17.3A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 900µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	45nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1800pF @ 300V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	165W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	200 mOhm @ 8.7A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247
Pacchetto / caso	TO-247-3
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
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TK17E65W,S1X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 650V 17.3A TO-220AB	Dettagli
TK17E80W,S1X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3	Dettagli
TK17N65W,S1F	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 650V 17.3A T0247	Dettagli