SSM6N48FU,RF(D

SSM6N48FU,RF(D - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte
SSM6N48FU,RF(D
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 0.1A
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Array
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Codice data
New
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SSM6N48FU,RF(D Descrizione dettagliata

Numero di parte SSM6N48FU,RF(D
Stato parte Obsolete
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 15.1pF @ 3V
Potenza - Max 300mW
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore US6
Peso -
Paese d'origine -

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