SSM6N48FU,RF(D

SSM6N48FU,RF(D - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
SSM6N48FU,RF(D
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
MOSFET 2N-CH 30V 0.1A
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Heure de livraison
1 Day
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4449 pcs
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SSM6N48FU,RF(D Description détaillée

Numéro d'article SSM6N48FU,RF(D
État de la pièce Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 15.1pF @ 3V
Puissance - Max 300mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package de périphérique fournisseur US6
Poids -
Pays d'origine -

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