SSM3J325F,LF

SSM3J325F,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte
SSM3J325F,LF
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
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Prezzo di riferimento
USD 0.0792/pcs
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SSM3J325F,LF Descrizione dettagliata

Numero di parte SSM3J325F,LF
Stato parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.6nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 270pF @ 10V
Vgs (massimo) ±8V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 600mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150 mOhm @ 1A, 4.5V
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore S-Mini
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso -
Paese d'origine -

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