SSM3J325F,LF

SSM3J325F,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer
SSM3J325F,LF
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
327462 pcs
Referenzpreis
USD 0.0792/pcs
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SSM3J325F,LF detaillierte Beschreibung

Artikelnummer SSM3J325F,LF
Teilstatus Active
FET Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 2A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 4.6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 270pF @ 10V
Vgs (Max) ±8V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 600mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 150 mOhm @ 1A, 4.5V
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket S-Mini
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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