SSM3J325F,LF

SSM3J325F,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
SSM3J325F,LF
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
341982 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.0792/pcs
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SSM3J325F,LF Description détaillée

Numéro d'article SSM3J325F,LF
État de la pièce Active
FET Type P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 2A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 4.6nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 270pF @ 10V
Vgs (Max) ±8V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 600mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150 mOhm @ 1A, 4.5V
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur S-Mini
Paquet / cas TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Poids -
Pays d'origine -

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