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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › SSM3J15FV,L3F
SSM3J15FV,L3F

SSM3J15FV,L3F - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte
SSM3J15FV,L3F
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
MOSFET P-CH 30V 0.1A VESM
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
SSM3J15FV,L3F Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
20000 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.0352/pcs
Il nostro prezzo
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SSM3J15FV,L3F Descrizione dettagliata

Numero di parte SSM3J15FV,L3F
Stato parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 100mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 2.5V, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.7V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9.1pF @ 3V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12 Ohm @ 10mA, 4V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore VESM
Pacchetto / caso SOT-723
Peso -
Paese d'origine -

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