SSM3J15FV,L3F - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza: SSM3J15FV,L3F
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción: MOSFET P-CH 30V 0.1A VESM
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega: 1 Day
Código de fecha: New
Cantidad de stock: 20000 pcs
Precio de referencia: USD 0.0352/pcs
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Número de pieza	SSM3J15FV,L3F
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	100mA (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	2.5V, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.7V @ 100µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	9.1pF @ 3V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 Ohm @ 10mA, 4V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	VESM
Paquete / caja	SOT-723
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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