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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › SSM3J15FV,L3F
SSM3J15FV,L3F

SSM3J15FV,L3F - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer
SSM3J15FV,L3F
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 0.1A VESM
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
SSM3J15FV,L3F PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
20000 pcs
Referenzpreis
USD 0.0352/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

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SSM3J15FV,L3F detaillierte Beschreibung

Artikelnummer SSM3J15FV,L3F
Teilstatus Active
FET Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 100mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 2.5V, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.7V @ 100µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9.1pF @ 3V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 150mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 12 Ohm @ 10mA, 4V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket VESM
Paket / Fall SOT-723
Gewicht -
Ursprungsland -

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