RN2907FE,LF(CB - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte	RN2907FE,LF(CB
Stato parte	Active
Transistor Type	2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Resistore - Base (R1) (Ohm)	10k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm)	47k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Limite del collettore (max)	500nA
Frequenza - Transizione	200MHz
Potenza - Max	100mW
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore	ES6
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
RN2901	TOSHIBA	RN2901 TOSHIBA SOIT36.. New Original Stocks	Dettagli
RN2901(T5L,F,T)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6	Dettagli
RN2901FE(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6	Dettagli
RN2902	TOSHIBA	RN2902 TOSHIBA SOT-36.. New Original Stocks	Dettagli
RN2902(T5L,F,T)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6	Dettagli
RN2902,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6	Dettagli
RN2902,LF(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6	Dettagli
RN2902FE(T5L,F,T)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6	Dettagli
RN2902FE,LF(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W ES6	Dettagli
RN2903,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6	Dettagli