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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - Array, pre-polarizzati › RN2902FE(T5L,F,T)
RN2902FE(T5L,F,T)

RN2902FE(T5L,F,T) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte
RN2902FE(T5L,F,T)
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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RN2902FE(T5L,F,T) Navigazione online PDF
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Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - Array, pre-polarizzati
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Codice data
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RN2902FE(T5L,F,T) Descrizione dettagliata

Numero di parte RN2902FE(T5L,F,T)
Stato parte Obsolete
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistore - Base (R1) (Ohm) 10k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm) 10k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Limite del collettore (max) 100nA (ICBO)
Frequenza - Transizione 200MHz
Potenza - Max 100mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore ES6
Peso -
Paese d'origine -

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