| Numero di parte | TSM6N50CH C5G |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.6A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 2.8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 25V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 90W (Tc) |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-251 (IPAK) |
| Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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TSM6N50CH C5G | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 500V 5.6A TO251 | Dettagli |
.jpg "TSM6N50CP ROG") |
TSM6N50CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 500V 5.6A TO252 | Dettagli |
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TSM6N60CH C5G | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO251 | Dettagli |
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TSM6N60CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO252 | Dettagli |
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TSM6NB60CI C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 600V 6A ITO220 | Dettagli |
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TSM6NB60CZ C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO220 | Dettagli |
