TSM6N50CH C5G

TSM6N50CH C5G - Taiwan Semiconductor Corporation

Artikelnummer
TSM6N50CH C5G
Hersteller
Taiwan Semiconductor Corporation
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 5.6A TO251
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
18187 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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TSM6N50CH C5G detaillierte Beschreibung

Artikelnummer TSM6N50CH C5G
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 500V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 5.6A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 2.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 25V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 90W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-251 (IPAK)
Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gewicht -
Ursprungsland -

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