TSM6N60CH C5G

TSM6N60CH C5G - Taiwan Semiconductor Corporation

Numero di parte
TSM6N60CH C5G
fabbricante
Taiwan Semiconductor Corporation
Breve descrizione
MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO251
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
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TSM6N60CH C5G Descrizione dettagliata

Numero di parte TSM6N60CH C5G
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.25 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20.7nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1248pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 89W (Tc)
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-251 (IPAK)
Pacchetto / caso TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Peso -
Paese d'origine -

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