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| Numero di parte | TSM6502CR RLG |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Caratteristica FET | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 24A (Tc), 18A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34 mOhm @ 5.4A, 10V, 68 mOhm @ 4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.3nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1159pF @ 30V, 930pF @ 30V |
| Potenza - Max | 40W |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-PDFN (5x6) |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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TSM6502CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8PDFN | Dettagli |
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TSM650N15CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 150V 24A 8PDFN | Dettagli |
-Exposed-Pad.jpg "TSM650N15CS RLG") |
TSM650N15CS RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 150V 9A 8SOP | Dettagli |
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TSM650P02CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET P-CHANNEL 20V 4.1A SOT23 | Dettagli |
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TSM650P03CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET P-CHANNEL 30V 4.1A SOT23 | Dettagli |
