TSM650N15CR RLG

TSM650N15CR RLG - Taiwan Semiconductor Corporation

Numero di parte
TSM650N15CR RLG
fabbricante
Taiwan Semiconductor Corporation
Breve descrizione
MOSFET N-CH 150V 24A 8PDFN
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
326685 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.504/pcs
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TSM650N15CR RLG Descrizione dettagliata

Numero di parte TSM650N15CR RLG
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 24A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1829pF @ 75V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 96W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-PDFN (5x6)
Pacchetto / caso 8-PowerTDFN
Peso -
Paese d'origine -

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