TSM6502CR RLG - Taiwan Semiconductor Corporation

Número de pieza: TSM6502CR RLG
Fabricante: Taiwan Semiconductor Corporation
Breve descripción: MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8PDFN
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Código de fecha: New
Cantidad de stock: 613792 pcs
Precio de referencia: USD 0.26825/pcs
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Número de pieza	TSM6502CR RLG
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N and P-Channel
Característica FET	Standard
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	24A (Tc), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	34 mOhm @ 5.4A, 10V, 68 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	10.3nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1159pF @ 30V, 930pF @ 30V
Potencia - Max	40W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	8-PowerTDFN
Paquete de dispositivo del proveedor	8-PDFN (5x6)
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
TSM6502CR RLG	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8PDFN	Detalles
TSM650N15CR RLG	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CH 150V 24A 8PDFN	Detalles
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