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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › STL33N60DM2
STL33N60DM2

STL33N60DM2 - STMicroelectronics

Numero di parte
STL33N60DM2
fabbricante
STMicroelectronics
Breve descrizione
N-CHANNEL 600 V, 0.115 OHM TYP.,
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
STL33N60DM2 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
8731 pcs
Prezzo di riferimento
USD 3.0065/pcs
Il nostro prezzo
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STL33N60DM2 Descrizione dettagliata

Numero di parte STL33N60DM2
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 21A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1870pF @ 100V
Vgs (massimo) ±25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140 mOhm @ 10.5A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PowerFlat™ (8x8) HV
Pacchetto / caso 8-PowerVDFN
Peso -
Paese d'origine -

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