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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › STL33N60DM2
STL33N60DM2

STL33N60DM2 - STMicroelectronics

Artikelnummer
STL33N60DM2
Hersteller
STMicroelectronics
Kurze Beschreibung
N-CHANNEL 600 V, 0.115 OHM TYP.,
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
STL33N60DM2 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
8514 pcs
Referenzpreis
USD 3.0065/pcs
Unser Preis
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STL33N60DM2 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer STL33N60DM2
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 21A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 43nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1870pF @ 100V
Vgs (Max) ±25V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 150W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 140 mOhm @ 10.5A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerFlat™ (8x8) HV
Paket / Fall 8-PowerVDFN
Gewicht -
Ursprungsland -

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