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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › STL30N10F7
STL30N10F7

STL30N10F7 - STMicroelectronics

Numero di parte
STL30N10F7
fabbricante
STMicroelectronics
Breve descrizione
MOSFET N-CH 100V 8A POWERFLAT
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
STL30N10F7 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
41848 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.6499/pcs
Il nostro prezzo
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STL30N10F7 Descrizione dettagliata

Numero di parte STL30N10F7
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 920pF @ 50V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35 mOhm @ 4A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PowerFlat™ (5x6)
Pacchetto / caso 8-PowerVDFN
Peso -
Paese d'origine -

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