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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - Array › VT6T11T2R
VT6T11T2R

VT6T11T2R - Rohm Semiconductor

Numero di parte
VT6T11T2R
fabbricante
Rohm Semiconductor
Breve descrizione
PNPPNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
VT6T11T2R Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - Array
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
1584852 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.10389/pcs
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VT6T11T2R Descrizione dettagliata

Numero di parte VT6T11T2R
Stato parte Active
Transistor Type 2 PNP (Dual)
Corrente - Collector (Ic) (Max) 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 10mA, 100mA
Corrente - Limite del collettore (max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 2V
Potenza - Max 150mW
Frequenza - Transizione 350MHz
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 6-SMD, Flat Leads
Pacchetto dispositivo fornitore VMT6
Peso -
Paese d'origine -

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