VT6T11T2R - Rohm Semiconductor

Artikelnummer	VT6T11T2R
Teilstatus	Active
Transistor-Typ	2 PNP (Dual)
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	200mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	20V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 10mA, 100mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)	100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 1mA, 2V
Leistung max	150mW
Frequenz - Übergang	350MHz
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	6-SMD, Flat Leads
Lieferantengerätepaket	VMT6
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
VT60-522	LAMBDA	Triple output 15W ~ 60W	Einzelheiten
VT60-525	LAMBDA	Triple output 15W ~ 60W	Einzelheiten
VT60-5FF	LAMBDA	Triple output 15W ~ 60W	Einzelheiten
VT6045C-M3/4W	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 45V 30A TO-220AB	Einzelheiten
VT6045CHM3/4W	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 45V 30A TO-220AB	Einzelheiten
VT60L45PW-M3/4W	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 45V 30A TMBS	Einzelheiten
VT60M120CHM3/4W	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 120V TO220	Einzelheiten
VT60M45C-M3/4W	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 45V TO220	Einzelheiten
VT60M45CHM3/4W	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE SCHOTTKY 45V TO220	Einzelheiten
VT6102	VIA	VT6102 VIA QFP New Original Stocks	Einzelheiten