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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices › VT6T11T2R
VT6T11T2R

VT6T11T2R - Rohm Semiconductor

Numéro d'article
VT6T11T2R
Fabricant
Rohm Semiconductor
Brève description
PNPPNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
VT6T11T2R Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
1584852 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.10389/pcs
Notre prix
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VT6T11T2R Description détaillée

Numéro d'article VT6T11T2R
État de la pièce Active
Type de transistor 2 PNP (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 200mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 20V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 10mA, 100mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 100nA (ICBO)
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 2V
Puissance - Max 150mW
Fréquence - Transition 350MHz
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-SMD, Flat Leads
Package de périphérique fournisseur VMT6
Poids -
Pays d'origine -

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