RV3C002UNT2CL - Rohm Semiconductor

Numero di parte	RV3C002UNT2CL
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	150mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	12pF @ 10V
Vgs (massimo)	±10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	100mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 150mA, 4.5V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	VML0604
Pacchetto / caso	3-XFDFN
Peso	-
Paese d'origine	-