RV3C002UNT2CL - Rohm Semiconductor

Artikelnummer	RV3C002UNT2CL
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	150mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 100µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	12pF @ 10V
Vgs (Max)	±10V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	100mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 150mA, 4.5V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	VML0604
Paket / Fall	3-XFDFN
Gewicht	-
Ursprungsland	-