RV3C002UNT2CL - Rohm Semiconductor

Numéro d'article	RV3C002UNT2CL
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	150mA (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	12pF @ 10V
Vgs (Max)	±10V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	100mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 150mA, 4.5V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	VML0604
Paquet / cas	3-XFDFN
Poids	-
Pays d'origine	-