RSJ300N10TL - Rohm Semiconductor

Numero di parte	RSJ300N10TL
Stato parte	Not For New Designs
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	30A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	50nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2200pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	52 mOhm @ 15A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	LPTS
Pacchetto / caso	SC-83
Peso	-
Paese d'origine	-

Immagine	Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
	RSJ300N10TL	Rohm Semiconductor	MOSFET N-CH 100V 30A LPTS	Dettagli
	RSJ301N10FRATL	Rohm Semiconductor	NCH 100V 30A POWER MOSFET	Dettagli