RSJ300N10TL - Rohm Semiconductor

Número de pieza	RSJ300N10TL
Estado de la pieza	Not For New Designs
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	30A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	50nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2200pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	52 mOhm @ 15A, 10V
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	LPTS
Paquete / caja	SC-83
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	RSJ300N10TL	Rohm Semiconductor	MOSFET N-CH 100V 30A LPTS	Detalles
	RSJ301N10FRATL	Rohm Semiconductor	NCH 100V 30A POWER MOSFET	Detalles