RSJ300N10TL - Rohm Semiconductor

Numéro d'article	RSJ300N10TL
État de la pièce	Not For New Designs
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	30A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	50nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2200pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	52 mOhm @ 15A, 10V
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	LPTS
Paquet / cas	SC-83
Poids	-
Pays d'origine	-

Image	Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
	RSJ300N10TL	Rohm Semiconductor	MOSFET N-CH 100V 30A LPTS	Détails
	RSJ301N10FRATL	Rohm Semiconductor	NCH 100V 30A POWER MOSFET	Détails