R4008ANDTL - Rohm Semiconductor

Numero di parte	R4008ANDTL
Stato parte	Not For New Designs
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	400V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	8A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	500pF @ 25V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	950 mOhm @ 4A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	CPT3
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
R4000	MIC	R4000 MIC DO-41 New Original Stocks	Dettagli
R4000-AP	Micro Commercial Co	DIODE GEN PURP 4KV 200MA DO15	Dettagli
R4000-TP	Micro Commercial Co	DIODE GEN PURP 4KV 200MA DO15	Dettagli
R4000F	RECTRON	HIGH VOLTAGE FAST RECOVERY RECTIFIER (VOLTAGE RANGE 2500 to 5000 Volts CURRENT 0.2 Ampere)	Dettagli
R4000F-AP	Micro Commercial Co	DIODE GEN PURP 4KV 200MA DO15	Dettagli
R4000F-TP	Micro Commercial Co	DIODE GEN PURP 4KV 200MA DO15	Dettagli
R4008ANDTL	Rohm Semiconductor	MOSFET N-CH 10V DRIVE CPT	Dettagli
R400CHX	EXSHINE	DISTRIBUTED GATE THYRISTORS	Dettagli