R4008ANDTL - Rohm Semiconductor

Artikelnummer	R4008ANDTL
Teilstatus	Not For New Designs
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	400V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	8A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	500pF @ 25V
Vgs (Max)	±30V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	20W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	950 mOhm @ 4A, 10V
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	CPT3
Paket / Fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
R4000	MIC	R4000 MIC DO-41 New Original Stocks	Einzelheiten
R4000-AP	Micro Commercial Co	DIODE GEN PURP 4KV 200MA DO15	Einzelheiten
R4000-TP	Micro Commercial Co	DIODE GEN PURP 4KV 200MA DO15	Einzelheiten
R4000F	RECTRON	HIGH VOLTAGE FAST RECOVERY RECTIFIER (VOLTAGE RANGE 2500 to 5000 Volts CURRENT 0.2 Ampere)	Einzelheiten
R4000F-AP	Micro Commercial Co	DIODE GEN PURP 4KV 200MA DO15	Einzelheiten
R4000F-TP	Micro Commercial Co	DIODE GEN PURP 4KV 200MA DO15	Einzelheiten
R4008ANDTL	Rohm Semiconductor	MOSFET N-CH 10V DRIVE CPT	Einzelheiten
R400CHX	EXSHINE	DISTRIBUTED GATE THYRISTORS	Einzelheiten