R4008ANDTL - Rohm Semiconductor

Numéro d'article	R4008ANDTL
État de la pièce	Not For New Designs
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	400V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	8A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	500pF @ 25V
Vgs (Max)	±30V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	950 mOhm @ 4A, 10V
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	CPT3
Paquet / cas	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
R4000	MIC	R4000 MIC DO-41 New Original Stocks	Détails
R4000-AP	Micro Commercial Co	DIODE GEN PURP 4KV 200MA DO15	Détails
R4000-TP	Micro Commercial Co	DIODE GEN PURP 4KV 200MA DO15	Détails
R4000F	RECTRON	HIGH VOLTAGE FAST RECOVERY RECTIFIER (VOLTAGE RANGE 2500 to 5000 Volts CURRENT 0.2 Ampere)	Détails
R4000F-AP	Micro Commercial Co	DIODE GEN PURP 4KV 200MA DO15	Détails
R4000F-TP	Micro Commercial Co	DIODE GEN PURP 4KV 200MA DO15	Détails
R4008ANDTL	Rohm Semiconductor	MOSFET N-CH 10V DRIVE CPT	Détails
R400CHX	EXSHINE	DISTRIBUTED GATE THYRISTORS	Détails