EMH10FHAT2R - Rohm Semiconductor

Numero di parte	EMH10FHAT2R
Stato parte	Active
Transistor Type	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	-
Resistor - Base (R1)	2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)	47 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Limite del collettore (max)	-
Frequenza - Transizione	250MHz
Potenza - Max	150mW
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore	EMT6
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
EMH1	ROHM	EMH1 ROHM SOT563 New Original Stocks	Dettagli
EMH10	ROHM	EMH10 ROHM SOT663 New Original Stocks	Dettagli
EMH10FHAT2R	Rohm Semiconductor	NPNNPN DIGITAL TRANSISTOR CORR	Dettagli
EMH10T2R	Rohm Semiconductor	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6	Dettagli
EMH11	ROHM	General purpose (dual digital transistors)	Dettagli
EMH11FHAT2R	Rohm Semiconductor	NPNNPN DIGITAL TRANSISTOR CORR	Dettagli
EMH11T2R	Rohm Semiconductor	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6	Dettagli
EMH11_1	ROHM	General purpose (dual digital transistors)	Dettagli
EMH1307	ONSANYO	EMH1307 ON/SANYO EMH8 New Original Stocks	Dettagli
EMH1307-TL-H	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 20V 6.5A EMH8	Dettagli