EMH10FHAT2R - Rohm Semiconductor

Número de pieza	EMH10FHAT2R
Estado de la pieza	Active
Tipo de transistor	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo)	-
Resistor - Base (R1)	2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)	47 kOhms
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 10mA, 5V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Corriente - corte de colector (máximo)	-
Frecuencia - Transición	250MHz
Potencia - Max	150mW
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	SOT-563, SOT-666
Paquete de dispositivo del proveedor	EMT6
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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