EMH1307-TL-H - ON Semiconductor

Numero di parte	EMH1307-TL-H
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	6.5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1100pF @ 10V
Vgs (massimo)	±10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	26 mOhm @ 3A, 4.5V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-EMH
Pacchetto / caso	8-SMD, Flat Lead
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
EMH1	ROHM	EMH1 ROHM SOT563 New Original Stocks	Dettagli
EMH10	ROHM	EMH10 ROHM SOT663 New Original Stocks	Dettagli
EMH10FHAT2R	Rohm Semiconductor	NPNNPN DIGITAL TRANSISTOR CORR	Dettagli
EMH10T2R	Rohm Semiconductor	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6	Dettagli
EMH11	ROHM	General purpose (dual digital transistors)	Dettagli
EMH11FHAT2R	Rohm Semiconductor	NPNNPN DIGITAL TRANSISTOR CORR	Dettagli
EMH11T2R	Rohm Semiconductor	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6	Dettagli
EMH11_1	ROHM	General purpose (dual digital transistors)	Dettagli
EMH1307	ONSANYO	EMH1307 ON/SANYO EMH8 New Original Stocks	Dettagli
EMH1307-TL-H	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 20V 6.5A EMH8	Dettagli