| Numero di parte | EM6M1T2R |
|---|---|
| Stato parte | Not For New Designs |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V, 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100mA, 200mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 Ohm @ 10mA, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.9nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 13pF @ 5V |
| Potenza - Max | 150mW |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | EMT6 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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