| Artikelnummer | EM6M1T2R |
|---|---|
| Teilstatus | Not For New Designs |
| FET Typ | N and P-Channel |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V, 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 100mA, 200mA |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 8 Ohm @ 10mA, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 0.9nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 13pF @ 5V |
| Leistung max | 150mW |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-563, SOT-666 |
| Lieferantengerätepaket | EMT6 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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