| Numéro d'article | EM6M1T2R |
|---|---|
| État de la pièce | Not For New Designs |
| FET Type | N and P-Channel |
| FET Caractéristique | Logic Level Gate |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 30V, 20V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 100mA, 200mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 Ohm @ 10mA, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 0.9nC @ 4.5V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 13pF @ 5V |
| Puissance - Max | 150mW |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | SOT-563, SOT-666 |
| Package de périphérique fournisseur | EMT6 |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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