N0300N-T1B-AT - Renesas Electronics America

Numero di parte	N0300N-T1B-AT
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	4.5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.4nC @ 10V (Typ)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	350pF @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50 mOhm @ 2A, 10V
temperatura di esercizio	150°C
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SC-96-3, Thin Mini Mold
Pacchetto / caso	SC-96
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
N0300N	RENESAS	N0300N RENESAS SOT-23 New Original Stocks	Dettagli
N0300N-T1B-AT	Renesas Electronics America	MOSFET N-CH 30V 4.5A SC96	Dettagli
N0300P	RENESAS	N0300P RENESAS SOT-23 New Original Stocks	Dettagli
N0300P-T1B-AT	Renesas Electronics America	TRANSISTOR	Dettagli