N0300N-T1B-AT - Renesas Electronics America

Artikelnummer	N0300N-T1B-AT
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	4.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	7.4nC @ 10V (Typ)
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	350pF @ 10V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	1.25W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	50 mOhm @ 2A, 10V
Betriebstemperatur	150°C
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	SC-96-3, Thin Mini Mold
Paket / Fall	SC-96
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
N0300N	RENESAS	N0300N RENESAS SOT-23 New Original Stocks	Einzelheiten
N0300N-T1B-AT	Renesas Electronics America	MOSFET N-CH 30V 4.5A SC96	Einzelheiten
N0300P	RENESAS	N0300P RENESAS SOT-23 New Original Stocks	Einzelheiten
N0300P-T1B-AT	Renesas Electronics America	TRANSISTOR	Einzelheiten