N0300N-T1B-AT - Renesas Electronics America

Numéro d'article	N0300N-T1B-AT
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	4.5A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	7.4nC @ 10V (Typ)
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	350pF @ 10V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50 mOhm @ 2A, 10V
Température de fonctionnement	150°C
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	SC-96-3, Thin Mini Mold
Paquet / cas	SC-96
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
N0300N	RENESAS	N0300N RENESAS SOT-23 New Original Stocks	Détails
N0300N-T1B-AT	Renesas Electronics America	MOSFET N-CH 30V 4.5A SC96	Détails
N0300P	RENESAS	N0300P RENESAS SOT-23 New Original Stocks	Détails
N0300P-T1B-AT	Renesas Electronics America	TRANSISTOR	Détails