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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Array › QJD1210SB1
QJD1210SB1

QJD1210SB1 - Powerex Inc.

Numero di parte
QJD1210SB1
fabbricante
Powerex Inc.
Breve descrizione
MOD MOSFET 1200V 10A DUAL SIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
QJD1210SB1 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Array
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
3939 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0/pcs
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QJD1210SB1 Descrizione dettagliata

Numero di parte QJD1210SB1
Stato parte Active
Tipo FET -
Caratteristica FET -
Drain to Source Voltage (Vdss) -
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -
Potenza - Max -
temperatura di esercizio -
Tipo di montaggio -
Pacchetto / caso -
Pacchetto dispositivo fornitore -
Peso -
Paese d'origine -

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