• русский
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Главная › Категории продукта › Дискретный полупроводник › Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы › QJD1210SB1
QJD1210SB1

QJD1210SB1 - Powerex Inc.

номер части
QJD1210SB1
производитель
Powerex Inc.
Краткое описание
MOD MOSFET 1200V 10A DUAL SIC
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
QJD1210SB1 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
4142 pcs
Справочная цена
USD 0/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку QJD1210SB1

QJD1210SB1 Подробное описание

номер части QJD1210SB1
Статус детали Active
Тип полевого транзистора -
Функция FET -
Слив к источнику напряжения (Vdss) -
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C -
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs -
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds -
Мощность - макс. -
Рабочая Температура -
Тип монтажа -
Упаковка / чехол -
Пакет устройств поставщика -
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ QJD1210SB1

Образ номер части Производители Описание Посмотреть
QJD1210010 QJD1210010 Powerex Inc. MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC подробности
QJD1210011 QJD1210011 Powerex Inc. MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC подробности
QJD1210SA1 QJD1210SA1 Powerex Inc. MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC подробности
QJD1210SA2 QJD1210SA2 Powerex Inc. MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC подробности
QJD1210SB1 QJD1210SB1 Powerex Inc. MOD MOSFET 1200V 10A DUAL SIC подробности