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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Array › QJD1210SA2
QJD1210SA2

QJD1210SA2 - Powerex Inc.

Numero di parte
QJD1210SA2
fabbricante
Powerex Inc.
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
QJD1210SA2 Navigazione online PDF
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Array
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
4118 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0/pcs
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QJD1210SA2 Descrizione dettagliata

Numero di parte QJD1210SA2
Stato parte Obsolete
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 100A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17 mOhm @ 100A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.6V @ 34mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 330nC @ 15V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 8200pF @ 10V
Potenza - Max 415W
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso Module
Pacchetto dispositivo fornitore Module
Peso -
Paese d'origine -

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