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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays › QJD1210SA2
QJD1210SA2

QJD1210SA2 - Powerex Inc.

Artikelnummer
QJD1210SA2
Hersteller
Powerex Inc.
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
QJD1210SA2 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3528 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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QJD1210SA2 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer QJD1210SA2
Teilstatus Obsolete
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Standard
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 1200V (1.2kV)
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 100A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 17 mOhm @ 100A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.6V @ 34mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 330nC @ 15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8200pF @ 10V
Leistung max 415W
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module
Gewicht -
Ursprungsland -

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