| Numero di parte | RFD8P05SM |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 20V |
| Vgs (massimo) | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | - |
| temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252AA |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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RFD10P03L | HARRIS | RFD10P03L HARRIS TO-252 New Original Stocks | Dettagli |
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RFD10P03LSM | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 10A TO-252AA | Dettagli |
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RFD12N06RLE | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 18A IPAK | Dettagli |
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,%20SC-63.JPG "RFD12N06RLESM9A") |
RFD12N06RLESM9A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 18A DPAK | Dettagli |
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RFD14N05L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 14A I-PAK | Dettagli |
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RFD14N05LSM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 14A TO-252AA | Dettagli |
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RFD14N05LSM9A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 14A TO-252AA | Dettagli |
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RFD14N05SM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 14A TO-252AA | Dettagli |
