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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - Array, pre-polarizzati › NSVBC124EPDXV6T1G
NSVBC124EPDXV6T1G

NSVBC124EPDXV6T1G - ON Semiconductor

Numero di parte
NSVBC124EPDXV6T1G
fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
SS SOT563 DUAL RSTR XSTR
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
NSVBC124EPDXV6T1G Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
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Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - Array, pre-polarizzati
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
1995035 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.08253/pcs
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NSVBC124EPDXV6T1G Descrizione dettagliata

Numero di parte NSVBC124EPDXV6T1G
Stato parte Active
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistor - Base (R1) 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 22 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Corrente - Limite del collettore (max) 500nA
Frequenza - Transizione -
Potenza - Max 339W
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-563
Peso -
Paese d'origine -

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