NSVBC124EPDXV6T1G detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
NSVBC124EPDXV6T1G |
Teilstatus |
Active |
Transistor-Typ |
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) |
100mA |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) |
50V |
Resistor - Base (R1) |
22 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) |
22 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
60 @ 5mA, 10V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic |
250mV @ 300µA, 10mA |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) |
500nA |
Frequenz - Übergang |
- |
Leistung max |
339W |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Paket / Fall |
SOT-563, SOT-666 |
Lieferantengerätepaket |
SOT-563 |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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