NSVBC123JPDXV6T1G Descrizione dettagliata
Numero di parte |
NSVBC123JPDXV6T1G |
Stato parte |
Active |
Transistor Type |
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) |
100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) |
50V |
Resistore - Base (R1) (Ohm) |
2.2k |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm) |
47k |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic |
250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) |
500nA |
Frequenza - Transizione |
- |
Potenza - Max |
500mW |
Tipo di montaggio |
Surface Mount |
Pacchetto / caso |
SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore |
SOT-563 |
Peso |
- |
Paese d'origine |
- |
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